Исследователи из Великобритании и Испании опубликовали в журнале Nature доклад о возможности высокоплотной записи данных на металлоксидных молекулярных кластерах, способных удерживать электрический заряд. Такие ячейки можно было бы использовать в основе оперативной и флэш-памяти нового типа, полагают ученые.
Роль ячейки памяти выполняет молекула полиоксометаллата, синтезированного с участием вольфрама и селена. Предыдущие попытки создать молекулярную память наталкивались на проблемы с низкой температурной стабильностью и плохой электропроводностью. Авторы доклада в Nature пишут, что убедились в работоспособности своей идеи посредством реалистичных компьютерных симуляций. В качестве важного преимущества полиоксометаллатной флэш-памяти они называют возможность ее выпуска на имеющемся оборудовании без дорогостоящего переоснащения линий.