Samsung начинает производство трехмерных модулей памяти DDR4

Компания Samsung приступила к выпуску модулей памяти 3D DDR4 для серверов, которые изготавливаются с использованием технологии трехмерных межслойных соединений TSV (through silicon via). На сегодняшний день 64 Гбайт – это максимальный объем существующих модулей памяти. Ожидается, что они помогут существенно повысить производительность серверов, поскольку данные будут храниться в памяти дольше, а информационный обмен между оперативной памятью и другими компонентами сервера сократится. В настоящее время микросхемы памяти размещаются в модулях памяти горизонтально, вертикальное же размещение, предлагаемое Samsung, поможет более эффективно использовать имеющееся пространство. Память DDR4 постепенно начнет вытеснять применяемые сейчас модули DDR3, прежде всего в серверах и игровых ПК. Переход на DDR4 позволит на 50% увеличить пропускную способность памяти и на 35% сократить ее энергопотребление. Процессор Grantley, поддерживающий модули DDR4, будет выпущен корпорацией Intel в начале сентября и сразу начнет устанавливаться в серверы Lenovo и Dell. Соединения TSV уже сейчас используются в решении HMC (Hybrid Memory Cube), предложенном компанией Micron, а в ближайшие годы появятся и в графических чипах Nvidia. Микросхемы памяти Samsung будут изготавливаться по 20-нанометровой технологии. Поставкой памяти DDR4 в настоящее время занимаются компании Crucial и Adata, но их модули имеют меньшую емкость.